La plus grande usine de carbure de silicium de Chine est officiellement entrée en production, représentant un investissement total de 5 milliards de yuans.

Hier (8) Daily News, selon le rapport, un investissement de 5 milliards de yuans, le terrain de construction d'environ 1000 acres du parc industriel d'innovation en sciences et technologies de l'information électronique de Chine (Shanxi) a été officiellement mis en production.

Le Quotidien du Peuple a rapporté que le projet prévoit, sur cinq ans, la construction de trois pôles : une base industrielle de matériaux en carbure de silicium pour les sciences électriques (Shanxi), une base industrielle de fabrication d'équipements électroniques intelligents pour l'électricité (Shanxi), un centre d'innovation technologique pour les semi-conducteurs de troisième génération pour les sciences électriques (Shanxi) et une base industrielle photovoltaïque pour les énergies nouvelles pour les sciences électriques (Shanxi). Ce projet devrait générer un chiffre d'affaires de 10 milliards de yuans.

Dans son reportage, Liu Yang, correspondant de la station Shanxi, a souligné que cette usine de carbure de silicium, équipée de 300 machines, devrait générer une production mensuelle supérieure à cent millions de yuans. Une fois le projet achevé, elle deviendra la plus grande base d'approvisionnement en carbure de silicium du pays. Ce parc industriel de 405 hectares reliera la zone de démonstration de transformation de Shanxi Zong à plus d'une douzaine d'acteurs en amont et en aval de la filière, contribuant ainsi au développement rapide du pôle industriel des semi-conducteurs dans la province et à l'autosuffisance de la Chine en carbure de silicium.

La large bande interdite, la tension de claquage critique, la mobilité électronique élevée et la conductivité thermique importante constituent les principaux atouts des matériaux semi-conducteurs de troisième génération en carbure de silicium fortement dopé au silex. Cependant, la production de ce matériau représente un défi mondial, et la stabilité de la technologie des cristaux longs en est un élément clé. En Chine, la dépendance à long terme aux importations pour les substrats en carbure de silicium fortement dopé au silex, conjuguée à son coût élevé et à l'instabilité de son approvisionnement, freine considérablement le développement des industries nationales concernées.

Li Bin, directeur général de Shuo in Shanxi Branch Crystal Co., Ltd., a déclaré : « Le carbure de silicium est un matériau semi-conducteur essentiel. L’ensemble de la production provenant du Shanxi peut générer une chaîne industrielle de 10 à 50 milliards de yuans. À l’heure actuelle, face à une situation critique, nous nous engageons dans une course contre la montre pour prendre la tête. Nous accordons une attention particulière à la prévention et au contrôle de l’épidémie, ainsi qu’à la reprise du travail et de la production. Notre objectif est de véritablement maîtriser la chaîne industrielle et de faire rayonner le carbure de silicium au Shanxi. »

Il est rapporté que depuis 2007, la section électrique chinoise 2, qui a commencé à planifier le développement de matériaux de substrat en carbure de silicium fortement dopés au sb, a maîtrisé la technologie de préparation de poudre de carbure de silicium de haute pureté, le processus de préparation de substrat isolant en carbure de silicium fortement dopé au sb de quatre pouces et demi de haute pureté, formé à partir de la préparation de la poudre de carbure de silicium, de la croissance cristalline, du traitement des plaquettes, tel qu'une ligne de développement complète de matériaux de validation épitaxiaux en carbure de silicium, des matériaux en carbure de silicium de haute pureté et de haute pureté dans la production de plaquettes semi-isolantes les plus précoces.